Физические основы кремниевой наноэлектроники, Зебрев Г.И., 2020.
Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм.
Для преподавателей и студентов, специализирующихся по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники, электронных измерительных систем. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов «Физические основы наноэлектроники», «Наноэлектронные технологии», «Физика микроэлектронных структур».
Общая структура наноэлектронных приборов.
Цифровая техника может быть построена на основе устройств, позволяющих модулировать ток во внешней цепи.
Принципиальная схема для широкого класса таких устройств представлена на рис. 1.1. Оно состоит из контактов внешней цепи («истока» и «стока»), активной области («канала») и управляющего электрода («затвора»). Именно такую структуру имеет МОП-транзистор — основной элемент современной цифровой техники. В принципе, роль активной области («канала») может играть не только инверсионный слой в кремниевой подложке, но и квантовая точка, углеродная нанотрубка или даже отдельная органическая молекула.
ОГЛАВЛЕНИЕ.
Предисловие.
Глава 1. Базисные физические уравнения.
Глава 2. Особенности приборов КМОП-технологии.
Глава 3. Структуры металл—окисел—полупроводник.
Глава 4. Вольт-амперные характеристики МОПТ.
Глава 5. Физические процессы в каналах МОПТ.
Глава 6. Эффекты сильных электрических полей.
Глава 7. Диффузионно-дрейфовая модель тока в МОПТ.
Глава 8. Транзисторы технологии «кремний-на-изоляторе».
Глава 9. Моделирование транзисторов КНИ-технологий.
Глава 10. Токи утечки в наноэлектронных структурах.
Глава 11. Мезоскопические эффекты в наноэлектронных структурах.
Литература.
Купить - rtf .
Дата публикации:
Теги: учебник по нанотехнологии :: нанотехнология :: Зебрев :: наноэлектроника
Смотрите также учебники, книги и учебные материалы:
Предыдущие статьи:
