Основы наноэлектроники, Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А., 2006

Основы наноэлектроники, Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А., 2006.
    
   Излагаются основные вопросы физики систем пониженной размерности, рассматриваются особенности энергетического спектра и переноса частиц в многослойных структурах с резкими потенциальными границами. В отличие от первого издания (2004 г., НТГУ) дополнительно освещаются вопросы энергетического спектра низкоразмерных систем с цилиндрической и сферической симметрией, вопросы влияния электрического поля на энергетический спектр квантовых точек и транспорт частиц в двухбарьерных структурах, дробного квантового эффекта Холла и особенностей поведения электронов в квазидвумерных системах.
Для студентов высших учебных заведений, получающих образование по направлению «Электроника и микроэлектроника» и специальностям «Микроэлектроника и твердотельная электроника» и «Микросистемная техника». Представляет интерес для ученых и специалистов в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, физических основ наноэлектроники.




СТРУКТУРА СО СДВОЕННОЙ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ.
Выше мы рассмотрели поведение частиц в системах, содержащих изолированные КЯ и потенциальные барьеры. Как уже отмечалось, накопленный к настоящему времени опыт и достижения техники для выращивания эпитаксиальных структур позволяют создавать и более сложные гетерокомпозиции, содержащие полупроводниковые слои со сложным потенциальным профилем. С этой точки зрения большой интерес представляет изучение энергетического спектра частиц в связанных квантовых ямах, так как в таких системах возможно направленное регулирование энергетического спектра и скоростей рассеяния электронов с помощью изменения не только формы КЯ, но и связи между квантовыми ямами. Структуры со связанными КЯ стали основой многих электронных и оптоэлектронных приборов. На их основе созданы лазеры инфракрасного (ИК) диапазона, приемники ИК-излучения, элементы нелинейной оптики и быстродействующие транзисторы.

Для выяснения влияния, оказываемого сближением изолированных квантовых ям, рассмотрим систему, состоящую из двух одинаковых одномерных прямоугольных квантовых ям, разделенных проницаемым потенциальным барьером (рис. 1.13).

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Условные обозначения.
Предисловие к первому изданию.
Предисловие ко второму изданию.
Глава 1. Особенности энергетического спектра частиц в системах пониженной размерности.
1.1. Рассеяние частиц на потенциальной ступеньке.
1.2. Потенциальный барьер конечной ширины.
1.3. Интерференционные эффекты при надбарьерном пролете частиц.
1.4. Частица в прямоугольной потенциальной яме.
1.5. Особенности движения частиц над потенциальной ямой.
1.6. Движение частицы в сферически симметричной прямоугольной потенциальной яме.
1.7. Энергетический спектр и волновые функции линейного, плоского и сферического осциллятора.
1.8. Энергетические состояния в прямоугольной квантовой яме сложной формы.
1.9. Структура со сдвоенной квантовой ямой.
1.10. Прохождение частиц через многобарьерные квантовые структуры.
1.11. Энергетический спектр сверхрешеток.
1.12. Классификация полупроводниковых сверхрешеток.
1.13. Низкоразмерные системы с цилиндрической и сферической симметрией.
Список литературы.
Глава 2. Влияние однородного электрического поля на энергетический спектр систем пониженной размерности.
2.1. Энергетический спектр бесконечной прямоугольной потенциальной ямы в однородном электрическом поле.
2.2. Оценка смещения энергетических уровней под действием электрического поля в прямоугольной КЯ конечной глубины.
2.3. Влияние однородного электрического поля на энергетический спектр параболической потенциальной ямы.
2.4. Интерференционная передислокация электронной плотности в туннельно-связанных квантовых ямах.
2.5. Потенциальная ступенька в однородном электрическом поле.
2.6. Прохождение частиц через двухбарьерную структуру в электрическом поле.
2.7. Влияние однородного электрического поля на двухэлектронные состояния в двойной квантовой точке.
2.8. Энергетический спектр сверхрешетки из квантовых точек в постоянном электрическом поле.
Список литературы.
Глава 3. Распределение квантовых состояний в системах пониженной размерности.
3.1. Особенности распределения плотности состояний в 2D-системах.
3.2. Зависимость положения уровня Ферми от концентрации электронов и толщины пленки для 2D-систем.
3.3 Распределение плотности состояний в квантовых проволоках и квантовых точках.
3.4. Влияние дополнительного пространственного ограничения на энергетический спектр связанных состояний в одномерной δ-образной потенциальной яме.
3.5. Энергетический спектр мелких примесных состояний в системах пониженной размерности.
3.6. Влияние размерного квантования на состояния мелкого экситона.
3.7. Энергетический спектр полупроводниковых пленок типа n-GaAs.
3.8. Энергетический спектр электронов в размерно-квантовых пленках Ge и Si.
3.9. Энергетический спектр в полупроводниковых пленках с вырожденными зонами.
3.10. Энергетический спектр в квантовой точке с параболическим удерживающим потенциалом.
Список литературы.
Глава 4. Экранирование электрического поля к структурах пониженной размерности.
4.1. Приповерхностная область пространственного заряда.
4.2. Уравнение Пуассона.
4.3. Разновидности областей пространственного заряда.
4.4. Решение уравнения Пуассона.
4.5. Определение зависимости потенциала в области пространственного заряда от координаты.
4.6. Поверхностное квантование.
4.7. Экранирование электрического поля в 2D-системах.
4.8. Особенности экранирования электрического поля в квантовых проволоках.
Список литературы.
Глава 5. Квантовый эффект Холла в двумерном электронном газе.
5.1. Эксперименты с двумерным электронным газом.
5.2. Энергетический спектр электронов в постоянном однородном магнитном поле.
5.3. Проводимость двумерного электронного газа.
5.4. Дробный квантовый эффект Холла.
Список литературы.
Глава 6. Особенности фононною спектра в системах пониженной размерности.
6.1. Дисперсионные зависимости фононов в полупроводниковых сверхрешетках.
6.2. Свертка ветвей акустических фононов.
6.3. Локализация фононов.
6.4. Интерфейсные фононы.
Список литературы.
Глава 7. Транспортные явления.
7.1. Стационарная дрейфовая скорость.
7.2. Всплеск во времени дрейфовой скорости при воздействии электрического поля.
7.3. Баллистический транспорт в полупроводниках и субмикронных приборах.
7.4. Подвижность электронов в системах с селективным легированием.
7.5. Особенности электрон-фононного взаимодействия в системах пониженной размерности.
7.6. Рассеяние электронов в 2D-системах.
7.7. Особенности рассеяния квазидвумерных электронов в сверхрешетках.
7.8. ТермоЭДС в квазидвумерных системах.
7.9. Асимметричные наноструктуры в магнитном поле.
7.10. Эффект Ааронова - Бома.
Список литературы.
Глава 8. Туннелирование через квантово-размерные структуры.
8.1. Туннелирование через двухбарьерную структуру с квантовой ямой.
8.2. Вольт-амперная характеристика многослойных структур.
8.3. Экспериментальное исследование вольт-амперных характеристик двухбарьерных квантовых структур.
8.4. Диапазон рабочих частот двухбарьерной квантовой структуры.
Список литературы.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Основы наноэлектроники, Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А., 2006 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу, если она есть в продаже, и похожие книги по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить книги


Скачать - pdf - Яндекс.Диск.




Теги: учебник по нанотехнологии :: нанотехнология :: Драгунов :: Неизвестный :: Гридчин :: наноэлектроника