Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники, Гаврилов С.А., Белов А.Н., 2009

Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники, Гаврилов С.А., Белов А.Н., 2009.

   Изложены основы электрохимических процессов, применяемых в технологии микро- и наноструктур, которые интенсивно развиваются в последнее время.
Учебное пособие содержит краткие сведения о законах и положениях теории электродного равновесия и электрохимической кинетики, описание механизмов формирования твердотельных микро- и наноструктур, сведения об особенностях получения и применения пористого кремния, описание электрохимических процессов в технологии МЭМС, процессов формирования барьерных и пористых анодных оксидов и их применения в микро- и нанотехнологии, процессов анодного окисления с помощью сканирующего зондового микроскопа, катодного осаждения металлов и полупроводников, их применения в технологии УБИС, МЭМС и нанотехнологии.
Для студентов, обучающихся по специальностям 210100 «Электроника и микроэлектроника», 010803 (014100) «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы, 210100 (550700) «Электроника и микроэлектроника (бакалавр)», а также для аспирантов, научных работников и инженеров.




Диаграммы электрохимического равновесия.
При выяснении вероятности протекания той или иной реакции в гетерогенной электрохимической системе в данных конкретных условиях очень полезными оказываются диаграммы электрохимического равновесия. Последние отражают зависимость между равновесным потенциалом электрода, pH раствора и активностями (или концентрациями) прочих компонентов, участвующих в реакции.

Вследствие диссоциации воды в водных растворах всегда присутствуют ионы водорода и гидроксила. Поэтому на всех электродах может протекать не только собственно электродная реакция, но и реакции, проходящие на водородном и кислородном электродах. Таким образом, теоретически в водных растворах электроды всегда рассматриваются как смешанные.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Список сокращений.
Предисловие.
Введение.
Глава 1. Законы и положения теории электродных процессов.
1.1. Предмет электрохимии. Основные понятия и определения.
1.2. Электролитическая диссоциация.
1.3. Электрическая проводимость растворов электролитов.
1.4. Механизм образования ЭДС и природа электродного потенциала.
1.5. Двойной электрический слой вблизи поверхности металлического электрода и его строение.
1.6. Термодинамическое выражение для равновесного электродного потенциала.
1.7. Диаграммы электрохимического равновесия.
1.8. Основные принципы кинетики электродных процессов.
1.9. Полупроводниковые электроды в электрохимических процессах.
1.10. Энергетические характеристики ячейки с полупроводниковым электродом.
1.11. Методика построения энергетической диаграммы полупроводник—электролит.
1.12. Кинетика электродных реакций на полупроводниковых электродах.
1.13. Электрохимическое разложение и пассивность полупроводников.
Глава 2. Процессы анодного растворения в технологии микро- и наноструктур.
2.1. Анодное растворение полупроводников.
2.1.1. Анодное растворение кремния в электролитах, содержащих HF.
2.1.2. Поляризационная кривая кремния в водном растворе HF.
2.1.3. Зонная энергетическая диаграмма системы Si — водный раствор HF.
2.1.4. Механизм окислительно-восстановительного процесса, определяющего состояние кремниевого электрода в растворах HF.
2.1.5. Начальные стадии формирования пор.
2.1.6. Электрохимическое равновесие в системе Si—HF—Н20.
2.1.7. Диффузионные ограничения массопереноса в системе por-Si—электролит.
2.1.8. Анодное растворение в технологии кремниевых микро- и наноструктур.
2.2. Анодное растворение кремния в щелочных электролитах.
Глава 3. Анодные оксидные пленки в технологии полупроводников и твердотельных наноструктур.
3.1. Типы анодных оксидных пленок и электролиты для их получения.
3.2. Закономерности образования барьерных анодных оксидов на поверхности металлов и полупроводников.
3.3. Применение барьерных анодных оксидов в технологии микроэлектроники.
3.3.1. Маскирование поверхности полуизолирующего GaAs перед ионной имплантацией.
3.3.2. Выравнивание активных слоев арсенидгаллиевых ПТШ.
3.3.3. Автография дефектных областей полуизолирующего GaAs.
3.3.4. Применение барьерных анодных оксидов в технологии создания наноструктр. Метод локального зондового окисления.
3.4. Пористый анодный оксид алюминия.
3.4.1. Закономерности формирования пористого оксида алюминия.
3.4.2. Электрохимический анализ строения и кинетики образования пористого анодного оксида алюминия.
3.4.3. Фазовый состав анодных пленок пористого оксида алюминия.
3.4.4. Диэлектрические свойства пористого оксида алюминия.
3.4.5. Оптические свойства пористого оксида алюминия.
3.4.6. Получение пористого оксида алюминия с высокой степенью упорядоченности структуры.
3.4.7. Примеры применения пористого оксида алюминия.
3.4.8. Пористые оксиды различных металлов.
Глава 4. Катодное осаждение в технологии микро- и наноструктур.
4.1. Физико-химические основы катодного осаждения материалов.
4.2. Катодное осаждение меди в технологии У БИС.
4.3. Катодное осаждение сплавов в технологии соединения элементов микросистем.
4.4. LIGA-технологии.
4.5. Осаждение наноразмерных кластеров металлов на поверхность полупроводников.
4.6. Матричное (темплатное) осаждение нитевидных нанокристаллов на постоянном токе.
4.7. Матричное (темплатное) осаждение нитевидных нанокристаллов в реверсивном режиме.
Заключение.
Литература.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники, Гаврилов С.А., Белов А.Н., 2009 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - pdf - Яндекс.Диск.




Теги: учебник по нанотехнологии :: нанотехнология :: Гаврилов :: Белов :: наноэлектроника