Моделирование 3D наносхемотехники, Трубочкина Н.К., 2015

Моделирование 3D наносхемотехники, Трубочкина Н.К., 2015.

   В книге представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размером 10-20 нм и сравнительный анализ четырех типов схемотехник.
Книга может быть рекомендована научным работникам, аспирантам и инженерам, специализирующимся в области разработки элементной базы суперкомпьютеров и альтернативных вычислительных систем, а также бакалаврам и магистрам, обучающимся по специальностям «Нанотехнология и микросистемная техника», «Электроника и наноэлектроника», «Вычислительные системы, комплексы и сети».




Настоящее и будущее наноэлектроники.
Ближайшее прошлое и настоящее — это эра кремниевой транзисторной схемотехники и планарных СБИС. В качестве дальнейшего развития полупроводниковой техники можно отметить направление «Beyond CMOS» («После КМОП1»), которое предполагает поиск других технологий, отличных от уже существующей КМОП-технологии, а также направление «More than Moore» («больше чем Мур»), которое предлагает разнообразить полупроводниковые технологии путем слияния их с технологиями биочипов и микросенсоров.

Считается, что даже если действие закона Мура будет продлено, приблизительно в 2020 году оно достигнет своего предела, и потребуются новые подходы и новый взгляд на развитие вычислительных (интеллектуальных) систем. Выходом из тупика, куда нас завела планарная транзисторная схемотехника, может стать изменение философии проектирования, переход к иной, альтернативной схемотехнике.

Оглавление.
Предисловие автора.
Введение.
Глава 1. Основные этапы развития элементной базы ЭВМ.
Глава 2. Обзор и анализ состояния элементной базы для наноиндустрии. Перспективы развития.
Глава 3. Переходная 3D наносхемотехника — новая компонентная концепция и новое качество в создании трехмерных интегральных схем.
Глава 4. Теоретические основы переходной схемотехники.
Глава 5. Элементы переходной схемотехники.
Глава 6. Система простейших логических элементов.
Глава 7. Переходная схемотехника. Синтез математических моделей.
Глава 8. Реализация функции И–НЕ в транзисторной и переходной схемотехниках.
Глава 9. Реализация функции ИЛИ–НЕ в транзисторной и переходной схемотехниках.
Глава 10. Транзисторная и переходная МОП-схемотехники.
Глава 11. Транзисторная и переходная КМОП-схемотехники.
Глава 12. Транзисторная и переходная БиМОП-схемотехники.
Глава 13. Методика проектирования СБИС в переходной схемотехнике.
Глава 14. Триггерные схемы.
Глава 15. Последовательностные цифровые функциональные устройства ЭВМ.
Глава 16. Регистры.
Глава 17. Счетчики.
Глава 18. Генераторы чисел.
Глава 19. Комбинационные схемы устройств.
Глава 20. Схемотехника матриц. Матричное проектирование.
Глава 21. Автоматизация этапов проектирования СБИС в переходной схемотехнике.
Глава 22. Система математических моделей и наноструктур логических элементов и элементов памяти переходной схемотехники различной размерности для полупроводниковой наноэлектроники.
Глава 23. Сравнительный анализ транзисторной и переходной полупроводниковых схемотехник.
Глава 24. Наноструктуры и их модели. Четыре типа переходной схемотехники.
Заключение.
Литература.

Купить .





Теги: учебник по нанотехнологии :: нанотехнология :: Трубочкина :: наноэлектроника