Наноэлектроника, Часть 1, Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А., 2019

По кнопке выше «Купить бумажную книгу» можно купить эту книгу с доставкой по всей России и похожие книги по самой лучшей цене в бумажном виде на сайтах официальных интернет магазинов Лабиринт, Озон, Буквоед, Читай-город, Литрес, My-shop, Book24, Books.ru.

По кнопке «Купить и скачать электронную книгу» можно купить эту книгу в электронном виде в официальном интернет магазине «Литрес», если она у них есть в наличии, и потом ее скачать на их сайте.

По кнопке «Найти похожие материалы на других сайтах» можно искать похожие материалы на других сайтах.

On the buttons above you can buy the book in official online stores Labirint, Ozon and others. Also you can search related and similar materials on other sites.

Ссылки на файлы заблокированы по запросу правообладателей.

Links to files are blocked at the request of copyright holders.


Наноэлектроника, Часть 1, Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А., 2019.

   Серия «Университеты России» позволит высшим учебным заведениям нашей страны использовать в образовательном процессе учебники и учебные пособия по различным дисциплинам, подготовленные преподавателями лучших университетов России и впервые опубликованные в издательствах университетов. Все представленные в этой серии учебники прошли экспертную оценку учебно-методического отдела издательства и публикуются в оригинальной редакции.
Предлагаемое вниманию читателя учебное пособие состоит из двух частей. В пособии делается попытка систематического изложения основных свойств наноэлектронных структур. В первой части обсуждаются особенности энергетического спектра частиц в системах пониженной размерности, анализируется изменение плотности состояний и обсуждаются проблемы экранирования электрического поля в структурах пониженной размерности. Во второй части рассматриваются особенности фотонного спектра в структурах пониженной размерности, приводятся теоретические и экспериментальные результаты исследований транспортных явлений в наноэлектронных структурах, рассматриваются вопросы построения приборов на основе наноэлектронных структур.
Пособие предназначено для студентов, магистрантов и аспирантов, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Оно может быть рекомендовано тем желающим систематизировать свои знания в области физических основ наноэлектроники.

Наноэлектроника, Часть 1, Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А., 2019


СТРУКТУРА СО СДВОЕННОЙ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ.
Выше мы рассмотрели поведение частиц в системах, содержащих изолированные КЯ и потенциальные барьеры. Как уже отмечалось, накопленный к настоящему времени опыт и достижения техники для выращивания эпитаксиальных структур позволяют создавать и более сложные гетерокомпозиции, содержащие полупроводниковые слои со сложным потенциальным профилем. С этой точки зрения большой интерес представляет изучение энергетического спектра частиц в связанных квантовых ямах, так как в таких системах возможно направленное регулирование энергетического спектра и скоростей рассеяния электронов с помощью изменения не только формы КЯ, но и связи между квантовыми ямами. Структуры со связанными КЯ стали основой многих электронных и оптоэлектронных приборов. На их основе созданы лазеры инфракрасного (ИК) диапазона, приемники ИК-излучения, элементы нелинейной оптики и быстродействующие транзисторы.

Для выяснения влияния, оказываемого сближением изолированных квантовых ям, рассмотрим систему, состоящую из двух одинаковых одномерных прямоугольных квантовых ям, разделенных проницаемым потенциальным барьером (рис. 1.13).

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Условные обозначения.
Предисловие к первому изданию.
Список литературы.
Предисловие ко второму изданию.
Глава 1. Особенности энергетического спектра частиц в системах пониженной размерности.
1.1. Рассеяние частиц на потенциальной ступеньке.
1.2. Потенциальный барьер конечной ширины.
1.3. Интерференционные эффекты при надбарьерном пролете частиц.
1.4. Частица в прямоугольной потенциальной яме.
1.5. Особенности движения частиц над потенциальной ямой.
1.6. Движение частицы в сферически симметричной прямоугольной потенциальной яме.
1.7. Энергетический спектр и волновые функции линейного, плоского и сферического осциллятора.
1.8. Энергетические состояния в прямоугольной квантовой яме сложной формы.
1.9. Структура со сдвоенной квантовой ямой.
1.10. Прохождение частиц через многобарьерные квантовые структуры.
1.11. Энергетический спектр сверхрешеток.
1.12. Классификация полупроводниковых сверхрешеток.
1.13. Низкоразмерные системы с цилиндрической и сферической симметрией.
Список литературы.
Глава 2. Влияние однородного электрического поля на энергетический спектр систем пониженной размерности.
2.1. Энергетический спектр бесконечной прямоугольной потенциальной ямы в однородном электрическом поле.
2.2. Оценка смещения энергетических уровней под действием электрического поля в прямоугольной КЯ конечной глубины.
2.3. Влияние однородного электрического поля на энергетический спектр параболической потенциальной ямы.
2.4. Интерференционная передислокация электронной плотности в туннельно-связанных квантовых ямах.
2.5. Потенциальная ступенька в однородном электрическом поле.
2.6. Прохождение частиц через двухбарьерную структуру в электрическом поле.
2.7. Влияние однородного электрического поля на двухэлектронные состояния в двойной квантовой точке.
2.8. Энергетический спектр сверхрешетки из квантовых точек в постоянном электрическом поле.
Список литературы.
Глава 3. Распределение квантовых состояний в системах пониженной размерности.
3.1. Особенности распределения плотности состоянии в 2D-системах.
3.2. Зависимость положения уровня Ферми от концентрации электронов и толщины пленки для 2D-систем.
3.3. Распределение плотности состояний в квантовых проволоках и квантовых точках.
3.4. Влияние дополнительного пространственного ограничения на энергетический спектр связанных состояний в одномерной б-образной потенциальной яме.
3.5. Энергетический спектр мелких примесных состоянии в системах пониженной размерности.
3.6. Влияние размерного квантования на состояния мелкого экситона.
3.7. Энергетический спектр полупроводниковых пленок типа n-GaAs.
3.8. Энергетический спектр электронов в размерно-квантовых пленках Ge и Si.
3.9. Энергетический спектр в полупроводниковых пленках с вырожденными зонами.
3.10. Энергетический спектр в квантовой точке с параболическим удерживающим потенциалом.
Список литературы.
Глава 4. Экранирование электрического ноля в структурах пониженной размерности.
4.1. Приповерхностная область пространственного заряда.
4.2. Уравнение Пуассона.
4.3. Разновидности областей пространственного заряда.
4.4. Решение уравнения Пуассона.
4.5. Определение зависимости потенциала в области пространственного заряда от координаты.
4.6. Поверхностное квантование.
4.7. Экранирование электрическою поля в 2D-системах.
4.8. Особенности экранирования электрического ноля в квантовых проволоках.
Список литературы.
Глава 5. Квантовый аффект Холла в двумерном электронном газе.
5.1. Эксперименты с двумерным электронным газом.
5.2. Энергетический спектр электронов в постоянном однородном магнитном поле.
5.3. Проводимость двумерного электронного газа.
5.4. Дробный квантовый эффект Холла.
5.4.1. Эксперименты подробному квантовому эффекту Холла.
5.4.2. Теоретические аспекты дробного квантового эффекта.
5.4.3. Квазичастицы с дробным зарядом.
Список литературы.

Купить .
Дата публикации:






Теги: :: :: :: :: ::


 


 

Книги, учебники, обучение по разделам




Не нашёл? Найди:





2024-12-21 17:58:00