Физические основы микро- и наноэлектроники, Дурнаков А.А., 2020

Физические основы микро- и наноэлектроники, Дурнаков А.А., 2020.

   Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ковалентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние р-n перехода, токи в нем, виды пробоев, туннелирование в сильнолегированных р-n переходах, гетеропереходы, вольтамперные характеристики переходов. В конце пособия приводятся практические и домашние задания.




Определение физического эффекта.
Для однозначности толкования понятия «физический эффект» (ФЭ) принято следующее определение: физический эффект — это закономерность проявления результатов взаимодействия объектов материального мира, осуществляемого посредством физических полей. При этом закономерность проявления характеризуется последовательностью и повторяемостью при идентичности взаимодействия.

Все физические поля и их модификации будем рассматривать как воздействие в отрыве от тех материальных объектов, от которых они исходят.

Воздействие всегда направлено на некоторый материальный объект (в дальнейшем — объект), которым может быть отдельный элемент или совокупность взаимосвязанных элементов, образующих определенную структуру. Так, к объектам могут быть отнесены: системы из макротел (в т. ч. детали приборов, механизмов и др.), макротела (твердое тело, жидкость, кристалл и т.д.), молекула, атом, части атомов и молекул, частицы и т.д.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Предисловие.
1. Физический эффект и его компоненты.
1.1. Определение физического эффекта.
1.2. Физические эффекты в электронике.
2. Однородный полупроводник.
2.1. Собственный полупроводник.
2.2. Электронный полупроводник.
2.3. Дырочный полупроводник.
3. Уровень Ферми.
Задачи к практическому занятию № 1.
4. Дрейф. Электропроводность.
5. Генерация и рекомбинация в полупроводниках.
6. Диффузионный ток. Законы движения носителей заряда в полупроводниках.
Задачи к практическому занятию № 2.
7. Применение однородных полупроводников.
7.1. Варисторы.
7.2. Терморезисторы.
7.3. Фоторезисторы.
8. p-n Переход.
8.1. Определение и классификация p‑n переходов.
8.2. Технология производства p‑n перехода.
8.3. Равновесное состояние p‑n перехода.
8.4. Ток в p‑n переходе в равновесном состоянии.
8.5. Контактная разность потенциалов.
8.6. Энергетическая диаграмма p-n перехода в равновесном состоянии.
8.7. Неравновесное состояние p-n перехода.
8.8. Идеальный p‑n переход.
8.9. Реальный p‑n переход.
8.10. Эквивалентные схемы реального p‑n перехода.
8.11. Пробой p‑n перехода.
8.12. Туннелирование в сильнолегированных p-n переходах.
Задачи к практическому занятию № 3.
Задачи к практическому занятию № 4.
9. Гетеропереходы.
9.1. Общие сведения о гетеропереходах.
9.2. Энергетическая диаграмма гетероперехода.
9.3. Прямосмещенный гетеропереход.
9.4. Получение гетеропереходов.
9.5. Электрические свойства гетеропереходов.
9.6. Применение гетеропереходов в оптоэлектронике.
Библиографический список.
Приложение. Домашние задания.

Купить .





Теги: учебник по нанотехнологии :: нанотехнология :: Дурнаков :: наноэлектроника