Введение в физику полупроводников, Шалабутов Ю.К., 1969

Введение в физику полупроводников, Шалабутов Ю.К., 1969.

   В книге в доступной и сжатой форме описаны тепловые и диффузионные процессы в кристаллах, кинетические, оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках. Включены такие новые вопросы, как явления в сильных квантующих магнитных полях, электрическая доменная неустойчивость, принципы работы квантовых оптических генераторов. Интерпретация явлений дана прежде всего качественная, но в необходимых случаях приводятся математические выкладки и выводы основных формул.
Для того чтобы не отсылать читателя к другим источникам, автор счел целесообразным привести ряд формул без выводов.
Учитывая интересы предполагаемого читателя, автор старался, хотя бы бегло упомянуть о большинстве эффектов, с которыми приходится иметь дело в экспериментальной и инженерной практике или представляющих теоретический интерес.




КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЕТКА И СВЯЗАННЫЕ С НЕЙ СВОЙСТВА ТВЕРДОГО ТЕЛА.
Все тела состоят из отдельных частиц (атомов, ионов или молекул), причем в зависимости от прочности связи между ними тела находятся в различных агрегатных состояниях. Наиболее слабая связь существует в газах; в жидкостях и твердых телах она значительно сильнее. Наличие такой сравнительно прочной связи приводит к тому, что в противоположность газам, в которых частицы находятся в непрерывном поступательном движении и' не имеют постоянных соседей, в жидкостях и твердых телах расположение частиц упорядочено.

В жидкостях определенный порядок взаимного расположения частиц существует только на небольших расстояниях и ограниченное время (это так называемый ближний порядок), причем отдельные упорядоченные группы частиц могут перестраиваться в пространстве относительно друг друга. Размеры таких групп невелики, порядка нескольких атомных расстояний. Поэтому обычные методы анализа структуры вещества (например, рентгеноструктурный анализ) не обнаруживают четкого порядка размещения частиц во всем объеме жидкости. Это свидетельствует об отсутствии дальнего порядка в жидкостях.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Предисловие.
Введение.
Раздел I КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЕТКА И СВЯЗАННЫЕ С НЕЙ СВОЙСТВА ТВЕРДОГО ТЕЛА.
Глава I. Кристаллические структуры твердых тел. Статическое состояние кристаллической решетки.
§1. Типы кристаллографических структур.
§2. Типы химической связи в кристаллах.
§3. Энергия связи в кристалле.
Глава II. Основы динамики кристаллической решетки.
§1. Гармонические колебания решетки.
§2. Квантовый характер колебаний решетки. Теплоемкость твердых тел.
§3. Ангармонические колебания решетки.
Глава III. Реальные кристаллы.
§1. Тепловые дефекты кристаллической решетки.
§2. Дислокации как дефекты решетки.
§3. Скорость перемещения дефектов по кристаллу.
§4. Диффузия в твердых телах.
§5. Ионная проводимость кристаллов.
§6. Поляризационные явления в твердых телах.
Раздел II ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В КРИСТАЛЛАХ И СВЯЗАННЫЕ С НИМИ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ ТЕЛ.
Глава IV. Элементы зонной теории твердых тел.
§1. Основы зонной теории. Возникновение энергетических зон.
§2. Движение электрона в периодическом поле. Эффективная масса. Электроны и дырки в зонной теории.
§3. Зоны Бриллюэна.
§4. Сложная структура энергетических зон.
§5. Движение электрона в кристалле и принцип Паули. Распределение электронов по уровням в зонах
§6. Примесные полупроводники. Электронные и дырочные полупроводники.
§7. Размещение примесных атомов в решетке. Связь знака носителя заряда с видом примесей.
Глава V. Распределение электронов в твердом теле по энергетическим состояниям в условиях теплового равновесия.
§1. Распределение Максвелла—Больцмана и Ферми—Дирака. Статистика электронов и дырок в полупроводниках.
§2. Понятие об электрохимическом и химическом потенциале и работе выхода электрона из металлов.
§3. Контактная разность потенциала и ее измерение.
§4. Уровни электрохимического и химического потенциалов в полупроводниках (качественные представления).
§5. Теория химического потенциала в полупроводниках.
§6. Уровень химического потенциала в полупроводниках с неоднородным распределением примесей.
§7. Поверхности Ферми.
§8. Графическое определение положения уровня химического потенциала.
Глава VI. Электропроводность полупроводников.
§1. Методы измерения электропроводности полупроводников.
§2. Механизм электропроводности полупроводников.
§3. Температурная зависимость электропроводности.
§4. Кинетическое уравнение Больцмана.
§5. Определение ширины, запрещенной зоны Е и энергии ионизации примесных уровней Е1 по температурной зависимости электропроводности.
§6. Электропроводность полупроводников в сильных электрических полях.
§7. Изменение электропроводности полупроводников при деформации.
§8. Некоторые особые механизмы электропроводности полупроводников.
Глава VII. Термоэлектрические явления в полупроводниках.
§1. Общая характеристика термоэлектрических явлений. Уравнения Томсона.
§2. Термоэлектродвижущая сила.
§3. Зависимость термо-эдс от концентрации носителей тока, электропроводности и других свойств полупроводников.
Глава VIII. Магнитные явления в твердых телах. Резонансные магнитные явления в полупроводниках.
§1. Классификация магнитных свойств твердых тел.
§2. Диамагнетизм.
§3». Парамагнетизм.
§4. Ферромагнетизм и антиферромагнетизм.
§5. Магнитная восприимчивость полупроводников.
§6. Резонансные магнитные явления в полупроводниках.
§7. Явления в сильных магнитных полях.
Глава IX. Гальваномагнитные и термомагнитные явления в полупроводниках.
§1. Эффект Холла.
§2. Методика измерения эффекта Холла.
§3. Другие гальваномагнитные и термомагнитные явления.
§4. Гальваномагнитные явления в квантующих магнитных полях.
Глава X. Контактные явления в полупроводниках.
§1. Механизм выпрямления электрического тока полупроводниками.
§2. Теория выпрямления контакта металла с полупроводником.
§3. Контакт двух полупроводников, р—д-переход.
§4. Поверхностные явления в полупроводниках.
§5. Неравновесные носители тока в полупроводниках. Рекомбинация в полупроводниках.
§6. Теория р—n-переходов.
§7. Измерения параметров неравновесных носителей тока.
Глава XI. Взаимодействие излучения с полупроводниками.
§1. Основные оптические постоянные и их определение.
§2. Оптическое поглощение полупроводников. Спектральная зависимость коэффициента поглощения.
§3. Зависимость положения края полосы основного оптического поглощения от различных факторов.
§4. Плазменное отражение в полупроводниках.
§5. Магнитооптические явления в полупроводниках.
§6. Оптические и высокочастотные явления, связанные с горячими носителями тока. Эффект Ганна. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках.
§7. Фотопроводимость.
§8. Фото-эдс.
§9. Оптические явления в щелочно-галоидных кристаллах
§10. Наведенная проводимость в полупроводниках.
§11. Излучательная рекомбинация. Понятие об инверсной населенности в полупроводниках. Принцип действия полупроводниковых лазеров.
Литература.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Введение в физику полупроводников, Шалабутов Ю.К., 1969 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать djvu
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - djvu - Яндекс.Диск.




Теги: учебник по физике :: физика :: Шалабутов :: полупроводник