Оптика и метрология солнечных элементов, Колтун М.М., 1985

Оптика и метрология солнечных элементов, Колтун М.М., 1985.

   Представлены оптические и электрические характеристики солнечных элементов и батарей из различных полупроводниковых материалов. Рассматриваются способы градуировки эталонных солнечных элементов, разработанные методики измерений КПД, применяемые к наземным и внеатмосферным условиям, конструкции имитаторов солнечного излучения, пути повышения эффективности и улучшения оптических свойств фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии, в частности, с помощью просветляющих покрытий.
Для специалистов в области солнечной энергетики, оптики и метрологии полупроводниковых приборов.




Полупроводники, диэлектрики, металлы.
При образовании твердого тела, например кристалла полупроводника, атомы настолько сближаются друг с другом, что их внешние электронные оболочки перекрываются. Вместо индивидуальных орбит отдельных атомов появляются коллективные орбиты, и подоболочки атомов объединяются в зоны, единые для всего кристалла. Характер движения электронов при этом изменяется кардинальным образом: электроны, находящиеся на определенном энергетическом уровне одного атома, получают возможность без затраты энергии переходить на подобный же уровень соседнего атома и тем самым свободно перемещаться вдоль всего кристалла.

Внутренние оболочки в изолированных атомах, а следовательно, и в кристаллах целиком заполнены. Самая же верхняя зона, образованная из уровней, на которых располагались валентные электроны, не всегда заполнена до конца. Электропроводность кристаллов, их оптические и многие другие свойства в основном определяются степенью заполнения валентной зоны и расстоянием от нее до самой верхней зоны, получившей название зоны проводимости. Электроны, попавшие из валентной зоны, например за счет теплового или оптического возбуждения, в зону проводимости, могут принимать участив в переносе электрического тока. Перемещение электронов на освободившиеся места в валентной зоне создает встречное движение положительных зарядов, называемых дырками. Положительный заряд всегда образуется в валентной зоне после ухода электрона, ведь до этого зона была электронейтральной.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Введение.
Глава первая Оптические и фотоэлектрические свойства солнечных элементов.
1.1. Полупроводники, диэлектрики, металлы.
1.2. Процессы поглощения света в полупроводниках.
1.3. Отражение оптического излучения от поверхности полупроводников.
1.4. Преобразование оптического излучения в электроэнергию в полупроводниковых солнечных элементах.
1.5. Вольт-амперная характеристика и спектральная чувствительность солнечного элемента.
Глава вторая Солнечные элементы с улучшенными оптическими и фотоэлектрическими характеристиками.
2.1. Кремниевые солнечные элементы повышенной эффективности с тянущим полем в легированной области.
2.2. Кремниевые солнечные элементы с пассивирующей поверхностной пленкой.
2.3. Кремниевые солнечные элементы с полем в базовой области и изотипным барьером у тыльного контакта.
2.4. Солнечные элементы, прозрачные в длинноволновой области спектра за краем основной полосы поглощения.
2.5. Солнечные элементы с двусторонней спектральной чувствительностью.
2.6. Солнечные элементы сложных структур па основе гомо- и гетеропереходов в арсениде галлия.
2.7. Тонкопленочные солнечные элементы.
2.8. Перспективы удешевления а автоматизация процесса получения солнечных элементов.
2.9. Перспективы создания солнечных элементов с максимальными значениями КПД и коэффициента собирания во всей области солнечного спектра.
2.10. Оптические и электронно-микроскопические методы исследования свойств солнечных элементов.
Глава третья Солнечные элементы с оптическими покрытиями.
3.1. Оптические покрытия для солнечных элементов — источников электроэнергии.
3.2. Солнечные элементы, используемые в комбинированных фототермических установках.
3.3. Селективные покрытия поверхности фототермических установок, свободной от солнечных элементов, к тепловых коллекторов.
3.4. Результаты испытаний селективных оптических покрытий солнечных элементов, тепловых и комбинированных фототермических установок и коллекторов в наземных и космических условиях.
Глава четвертая Определение коэффициента полезного действия и метрологических характеристик солнечных элементов и батарей.
4.1. Солнечное излучение и выбор стандартного спектра.
4.2. Измерения на имитаторах солнечного излучения и в натурных условиях.
4.3. Эталонные солнечные элементы.
4.4. Градуировка эталонных солнечных элементов.
4.5. Измерение параметров солнечных элементов и батарей.
4.6. Оценка качества солнечных элементов и батарей без имитаторов Солнца.
4.7. Применение эталонных солнечных элементов в космосе.
Заключение.
Литература.
Приложение.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Оптика и метрология солнечных элементов, Колтун М.М., 1985 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - pdf - Яндекс.Диск.




Теги: учебник по физике :: физика :: Колтун :: оптика :: метрология :: полупроводник :: диэлектрик