Физические основы полупроводниковой электроники, Снитко О.В., 1985

Физические основы полупроводниковой электроники, Снитко О.В., 1985.

В монографии дан обзор результатов работ по основным направлениям фундаментальных и прикладных исследовании, проводимых в Институте полупроводников АН УССР. Значительное внимание уделено исследованиям, положившим начало новым направлениям в теории полупроводников, оптике и радиоспектроскопии полупроводников, физике неравновесных явлений в объеме и на поверхности полупроводников, в изучении электронных и структурных свойств полупроводников. Освещены современное состояние и перспективы развития исследований по материаловедению полупроводников, фотоэлектронике и метрической электронике, определяющие новые пути в современном полупроводниковом приборостроении. Рассмотрены вопросы некогерентной оптоэлектроники как нового научно-технического направления. Показана важная роль фундаментальных физических исследований в создании научных основ полупроводниковой электроники. Для специалистов-физиков, инженерно-технических работников, а также преподавателей и студентов вузов физических специальностей.





Предисловие.

В настоящее время дальнейший прогресс в решении актуальных народно-хозяйственных проблем, таких, как энергетика и автоматика, немыслим без широкого применения устройств полупроводниковой электроники. Полупроводниковая электроника и прежде всего микроэлектроника является основой современной радиоэлектроники и служит элементной базой для таких важнейших областей техники, как вычислительная техника, автоматика, средства связи и многих других. Широкое применение нашли полупроводниковые транзисторы, фототранзисторы, фоторезисторы, фотоэлементы, кремниевые интегральные схемы, датчики параметров, оптроны и др. Семейство полупроводниковых приборов непрерывно расширяется и находит все новые области применения. Все достижения полупроводниковой электроники обусловлены развитием физики полупроводников, являющейся одним из важнейших разделов физики твердого тела. Она в процессе познания физического механизма электронных явлений в полупроводниках явилась мощным генератором идей, которые послужили основой для создания различных полупроводниковых приборов.

ОГЛАВЛЕНИЕ.

Предисловие.
ГЛАВА 1. Теоретическое предсказание и экспериментальное обнаружение добавочных световых волн в кристаллах (С. И. Пекар).
ГЛАВА 2. Некоторые современные аспекты теории горячих электронов (Ф. Т. Васько, 3. С. Грибников, И. М. Дыкман).
ГЛАВА 3. Явления, связанные с биполярным дрейфом носителей в полупроводниках (И. И. Бойко, 3. С. Грибников).
ГЛАВА 4. Колебательные резонансы и нелинейная оптическая активность кристаллов (М. П. Лисица).
ГЛАВА 5. Эффект неравновесного обеднения и его релаксация при сильных электрических полях (О. В. Снитко, В. Е. Примаченко, С. И. Кириллова, В. В. Миленин).
ГЛАВА 6. Структура и динамика атомарно-чистой поверхности (Б. А. Нестеренко).
ГЛАВА 7. Релаксация внутренних напряжений в гетероэпитаксиальных системах (Ю. А. Тхорик, Л. С. Хазан).
ГЛАВА 8. Исследования кремния методом электронного парамагнитного резонанса (А. А. Бугай).
ГЛАВА 9. Неравновесные процессы в широкозонных полупроводниках (М. К. Шейнкман).
ГЛАВА 10 Физические свойства соединений А^2В^6 в экстремальных условиях (Е. А. Сальков).
ГЛАВА 11. Разработка и исследование фотоэлектрических полупроводниковых приборов на основе соединений А^2В^6 (В. Н. Комащенко, Г. А. Федорус, В. Д. Фурсенко, М. К. Шейнкман).
ГЛАВА 12. Поперечные фотовольтанческие эффекты в полупроводниках с анизотропной электропроводностью (И. П. Жадько, В. А. Романов).
ГЛАВА 13. Теоретические и экспериментальные исследования явлений переноса в многодолинных полупроводниках в экстремальных условиях (П. И. Баранский).
ГЛАВА 14. Рентгенодифракционные исследования структурного совершенства полупроводниковых материалов (Л. И. Даценко).
ГЛАВА 15. Исследования в области химии полупроводников (И. Б. Мизецкая).
ГЛАВА 16. Эффект фотографической чувствительности системы тонких слоев полупроводника и металла, или стимулированная излучением диффузия (М. Т. Костышин).
ГЛАВА 17. Полупроводники в криогенной термометрии (Л. И. Зарубин).
ГЛАВА 18. Физико-технологические аспекты устройств для записи оптической информации на основе структур фотопроводник А^2В^6 — регистрирующая среда (С. В. Свечников, Э. Б. Каганович, Ю. И. Максименко).
ГЛАВА 19. Поляритонные и коллективные явления на границах раздела полярных полупроводников (В. Г. Литовченко, Н. Л. Дмитрук, Д. В. Корбутяк).
ГЛАВА 20. Магнитоконцентрационные явления в плазме полупроводников (В. К. Малютенко).
ГЛАВА 21. Функции оптоэлектронных многополюсников в электронных цепях (П. Ф. Олексенко).
ГЛАВА 22. Состояние разработок и перспективы развития оптоэлектронных функциональных преобразователей (А. К. Смовж).
ГЛАВА 23. Тонкопленочные электролюминесцентные излучатели (Н. А. Власенко).
Список литературы.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Физические основы полупроводниковой электроники, Снитко О.В., 1985 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать djvu
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - djvu - Яндекс.Диск.




Теги: Снитко :: 1985 :: физика