Физика полупроводников, Шалимова К.В., 2010.
В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства.
Учебник предназначен для студентов физических и технических специальностей, может быть полезен инженерно-техническим работникам.
ПРИБЛИЖЕНИЕ СИЛЬНО СВЯЗАННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ.
При описании движения электрона в периодическом поле кристаллической решетки квантовая механика дает такие результаты, которые удобно сравнивать с квантовомеханическими результатами для изолированного атома. Известно, что спектр излучения свободного атома представляет собой набор дискретных линий. Как показывает квантовая теория, это объясняется тем, что электроны в изолированном атоме обладают дискретными значениями энергии.
Одно из положений физики гласит, что состояние устойчивого равновесия, в котором система может долго находиться, определяется минимумом потенциальной энергии. С этой точки зрения все электроны в атоме должны были бы находиться в наинизшем энергетическом состоянии, т. е. на энергетическом уровне, который расположен ближе всего к ядру. Однако квантовомеханические законы накладывают на это положение ограничение, сформулированное Паули. Согласно принципу Паули на одном и том же энергетическом уровне может находиться не более двух электронов. При этом электроны должны иметь противоположно направленные спины.
Купить .
Дата публикации:
Теги: учебник по физике :: физика :: Шалимова
Смотрите также учебники, книги и учебные материалы:
Следующие учебники и книги:
Предыдущие статьи:
