Кинетические эффекты в полупроводниках, Аскеров В.М., 1970

Кинетические эффекты в полупроводниках, Аскеров В.М., 1970.

   Излагается современная теория гальваномагнитных и термомагнитных явлений в полупроводниках. Рассмотрены случаи параболической и непараболической зон, а также зоны со многими минимумами. В книге большое место занимает квантовая теория кинетических эффектов. Учитывается влияние непараболичности зоны проводимости на кинетические эффекты в квантующем магнитном поле. Подробно излагаются основные выводы теории осцилляции Шубникова—де Гааза и магнетофонной осцилляции. Развита квантовая теория эффекта Нернста-Эттингсгаузена. В отличие от существующих книг, посвященных кинетической теории полупроводников, здесь изложены классическая и квантовая теории гальваномагнитных и термомагнитных явлений, охвачены все практически важные модели энергетических зон.




Статистика носителей тока в полупроводниках.
Согласно зонной теории, в твердом теле энергетические состояния электронов образуют почти непрерывные зоны, отделенные друг от друга промежутками запретных значений энергии — запретными зонами. В процессе электропроводности твердых тел принимают участие только валентная зона и расположенная над ней первая зона возбужденных состояний — зона проводимости. В некоторых случаях валентная зона может перекрываться с зоной проводимости.

Если валентная зона или объединенная полоса перекрытых зон неполностью заполнена электронами, то электропроводность твердого тела при любой температуре (даже при абсолютном нуле) отлична от нуля. В этом случае легко осуществляются энергетические переходы, обусловленные ускорением электронов во внешнем электрическом поле, и поэтому электропроводность такого твердого тела имеет металлический характер. Если валентная зона твердого тела (не содержащего примесей) полностью заполнена, а вышерасположенная пустая зона возбужденных состояний отделена от нее запретным участком некоторой ширины (запрещенная зона), то при абсолютном нуле температуры такое твердое тело будет совершенным изолятором.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Предисловие.
Введение.
Глава I. Основы зонной теории твердых тел и равновесие носителей тока в полупроводниках.
§1. Движение свободного электрона.
§2. Движение электрона в идеальной кристаллической решетке.
§3. Энергетические зоны в твердых телах. Зоны Бриллюэна.
§4. Эффективная масса носителей тока.
§5. Структура зон некоторых полупроводников. Различные модели зон.
§6. Статистика носителей тока в полупроводниках.
§7. Вычисление химического потенциала в полупроводниках.
Глава II. Кинетическое уравнение и время релаксации.
§8. Феноменологическое определение кинетических эффектов и их взаимная связь.
§9. Кинетическое уравнение.
§10. Решение кинетического уравнения для сферически-симметричной зоны.
§11. Различные механизмы релаксации электронов в полупроводниках.
Глава III. Термоэлектрические явления в полупроводниках.
§12. Подвижность носителей тока в полупроводниках. Электронная часть теплопроводности.
§13. Термоэдс полупроводников с параболической зоной.
§14. Эффект Томсопа.
§15. Эффект Пельтье.
Глава IV. Гальваномагнитные и термомагнитные эффекты в полупроводниках со стандартной зоной.
§16. Примесная проводимость. Кинетические эффекты в слабом магнитном поле.
§17. Примесная проводимость. Кинетические эффекты в сильном магнитном поле.
§18. Смешанная проводимость. Кинетические эффекты в слабом магнитном поле.
§19. Смешанная проводимость. Кинетические эффекты в сильном магнитном поле.
§20. Кинетические эффекты при учете смешанного механизма рассеяния.
Глава V. Гальваномагнитные и термомагнитные эффекты в полупроводниках со сферической нестандартной зоной.
§21. Кинетические эффекты в отсутствие магнитного поля.
§22. Кинетические эффекты в слабом магнитном поле.
§23. Кинетические эффекты в сильном магнитном поле.
§24. Кинетические эффекты в полупроводниках в трехзонном приближении.
§25. Определение основных параметров вырожденных полупроводников.
Глава VI. Кинетические эффекты в полупроводниках со многими минимумами.
§26. Решение кинетического уравнения для эллипсоидальной поверхности постоянной энергии.
§27. Тензоры проводимости германия и кремния.
§28. Анизотропия кинетических эффектов в поперечном магнитном поле.
§29. Анизотропия кинетических эффектов в продольном магнитном поле.
§30. Кинетические эффекты в теллуристом висмуте.
Глава VII. Квантовая теория гальваномагнитных явлений.
§31. Движение электрона в однородном магнитном поле. Уровни Ландау.
§32. Химический потенциал и критерий вырождения электронов проводимости в квантующем магнитном поле.
§33. Поперечное магнетосопротивление. Осцилляции Шубникова—де Гааза.
§34. Поперечное магнетосопротивление в полупроводниках с нестандартной зоной.
§35. Продольное магнетосопротивление в полупроводниках.
§36. Магнетофононные осцилляции в полупроводниках.
Глава VIII. Квантовая теория термомагнитных явлений.
§37. Продольные термомагнитные эффекты в полупроводниках в квантующем магнитном поле.
§38. Термоэдс в поперечном квантующем магнитном поле.
§39. Квантовая теория эффекта Нернста—Эттингсгаузена в полупроводниках.
Приложение А.
Приложение Б2.
Приложение Б2.
Приложение В.
Приложение Г.
Приложение Д.
Литература.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Кинетические эффекты в полупроводниках, Аскеров В.М., 1970 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - pdf - Яндекс.Диск.




Теги: учебник по физике :: физика :: Аскеров :: полупроводник