Основы конструирования и технологии производства радиоэлектронных средств, Ионно-плазменные технологии, Иванов В.И., 2019

Основы конструирования и технологии производства радиоэлектронных средств, Ионно-плазменные технологии, Иванов В.И., 2019.

   Серия «Университеты России» позволит высшим учебным заведениям нашей страны использовать в образовательном процессе учебники и учебные пособия по различным дисциплинам, подготовленные преподавателями лучших отечественных вузов и впервые опубликованные в издательствах университетов. Все представленные в этой серии учебники прошли экспертную оценку учебно-методического отдела издательства и публикуются в оригинальной редакции.
В книге рассматриваются технологические процессы в производстве элементов и устройств радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) — электронных приборов, полупроводниковых и гибридных микросхем, микроэлектро-механических систем, антенных устройств, функциональных и защитных покрытии и других, где в качестве основного инструмента используются ионно-плазменные потоки и пучки ускоренных ионов. Рассмотрено технологическое оборудование и оснастка, включая генерирование, ускорение и управление потоками ионов.
Учебник предназначен для студентов вузов, обучающихся по специальностям «Проектирование и технология электронных устройств», «Проектирование и технология радиоэлектронных средств» и «Электронные приборы», может быть полезным для студентов других специальностей и специалистов в области радиотехники.




Пробег и распределение ионов в веществе.
Рассмотрим общие вопросы взаимодействия ускоренного иона налетающего на мишень (вещество).

При прохождении через вещество (твердое тело) налетающий ион взаимодействует с составными частями вещества, т.е. с атомными ядрами, атомными электронами, а также, если вещество является проводником электричества, с электронами проводимости.

Судьба налетающего иона в веществе - это история его замедления от первоначальной кинетической энергии E0 до остановки. Полное описание должно содержать: траектории иона от исходной точки до положения остановки, а также энергии в любой момент в процессе прохождения через вещество.

Предположим, что атомы в веществе расположены случайным образом (аморфное вещество). В монокристаллах прохождение иона имеет свои особенности, которые будут рассмотрены ниже.

Купить .





Теги: учебник по электронике :: электроника :: электротехника :: Иванов