Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов, Данилов В.С., Раков Ю.Н., 2014

Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов, Данилов В.С., Раков Ю.Н., 2014.

В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетеро-структурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам.
Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.




Уравнения плотности тока (или диффузионно-дрейфовые уравнения).
Как было сказано выше, в полупроводнике существуют свободные электроны и валентные электроны. В то время как все свободные электроны могут участвовать в переносе заряда без любого ограничения, число валентных электронов, которые могут осуществлять перенос заряда, ограничено числом доступных дырок. Значит, в валентной зоне носителем заряда является дырка. Для движения носителей в полупроводнике характерны следующие основные свойства (рис. 1.4).

1. Кристалл полупроводника упакован неподвижными атомами и имеет подвижные носители заряда. Носители при прохождении через кристалл часто сталкиваются с неподвижными атомами, передавая свою энергию кристаллу.
2. Носитель восстанавливает свою энергию после столкновения, поглощая тепловую энергию кристалла, и перемещается в произвольном направлении.
3. Если на кристалл действует электрическое поле, то носитель в полете между двумя последовательными атомами подвержен действию этого поля. Это действие - определенное (непроизвольное) ускорение в произвольном тепловом движении.

Купить .





Теги: учебник по физике :: физика :: Данилов :: Раков