Основы электроники, Миловзоров О.В., Панков И.Г., 2019

Основы электроники, Миловзоров О.В., Панков И.Г., 2019.
    
   В учебнике рассмотрен широкий круг вопросов, касающихся основ полупроводниковой электроники, аналоговой и цифровой схемотехники. Описана работа полупроводниковых приборов — диодов, биполярных и полевых транзисторов и схем на их основе; схемотехника аналоговых устройств на основе операционных усилителей, силовая электроника. Освещены вопросы цифровой схемотехники, включая основы алгебры логики, простейшие логические элементы, комбинационные и последовательностные устройства, полупроводниковые запоминающие устройства, микропроцессоры и интерфейсные схемы, программируемые логические интегральные схемы. Рассмотрены микро архитектуры современных процессоров. Соответствует актуальным требованиям Федерального государственного образовательного стандарта среднего профессионального образования и профессиональным требованиям. Для студентов образовательных учреждений среднего профессионального образования, обучающихся по техническим специальностям.




Основные технологические процессы изготовления р-n-переходов.
Метод сплавления. Этот технологический процесс заключается в том, что в пластинку полупроводника одного типа проводимости вплавляют примесь, необходимую для образования полупроводника другого типа проводимости. Например, на пластинку германия n-типа помещают таблетку индия и нагревают ее до температуры плавления. При этом примесь расплавляется, и в ней частично растворяется материал полупроводника, создавая в приграничной зоне слой проводимости p-типа. Сплавные р-n-переходы имеют высокую надежность, работоспособны при больших обратных напряжениях и обладают малым собственным сопротивлением, обеспечивающим малое прямое падение напряжения на них.

Метод диффузии. В этом технологическом процессе р- и n-области получают в полупроводнике путем проникновения акцепторных или донорных примесей, содержащихся в атмосфере паров, куда помещают нагретую до высокой температуры пластинку полупроводника. Так как атомы примеси диффундируют внутрь пластины с поверхности, наибольшая концентрация примеси наблюдается в приповерхностной области и убывает с увеличением расстояния в глубь полупроводника.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Предисловие.    
Глава 1. Полупроводниковые элементы и основы микроэлектроника.
Глава 2. Аналоговая схемотехника.
Глава 3. Основы схемотехники цифровых устройств.
Глава 4. Схемотехника программируемых цифровых вычислительных устройств.
Глава 5. Микроархитектуры процессоров.
Заключение.
Литература.
Приложения.
Приложение 1. Примеры условных обозначений некоторых активных и пассивных элементов на принципиальных электрических схемах.
Приложение 2, Примеры условных обозначений некоторых аналоговых и цифровых интегральных элементов на принципиальных электрических схемах.
Приложение 3. Ряды предпочтительных номиналов резисторов и конденсаторов.
Предметный указатель.

Купить .





Теги: учебник по электронике :: электроника :: электротехника :: Миловзоров :: Панков :: диод :: схемотехника :: полупроводник :: транзистор