Физические основы электроники, Бобылев Ю.Н., 1999

Физические основы электроники, Бобылев Ю.Н., 1999.

   Рассмотрены основные вопросы физики полупроводников, описаны элементная база и современные устройства промышленной электроники, элементы импульсной и цифровой схемотехники. Приведены методики и основные расчетные соотношения для анализа работы элементов и отдельных устройств электроники, в конце каждой главы даны контрольные вопросы. В пособии приведен список современной литературы по физическим основам электроники.
Для студентов, обучающихся по специальности «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов». Может быть рекомендовано также для специальностей «Электроснабжение горного производства» и «Технология машиностроения».




Плоскостной электронно-дырочный переход.
Граница между двумя областями монокристалла полупроводника, одна из которых имеет электропроводность p-типа, другая — n-типа, называется электронно-дырочным переходом (р—n-переходом). Переход с линейными размерами, значительно превышающими его толщину, носит название плоскостного.

Рассмотрим два находящихся в контакте образца германия с дырочной и электронной электропроводностями. При этом граница раздела образцов плоская и в месте соединения контакт является идеальным, внешнее электрическое поле отсутствует (рис. 2.1, а).

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Предисловие.
Глава 1. Физика полупроводников.
1.1. Энергетические зоны полупроводников.
1.2. Генерация и рекомбинация носителей заряда.
1.3. Собственная электропроводность полупроводников.
1.4. Примесная электропроводность полупроводников.
1.5. Энергетические уровни доноров и акцепторов.
1.6. Движение носителей заряда в полупроводнике.
Глава 2. Контактные явления в полупроводниках.
2.1. Плоскостной электронно-дырочный переход.
2.2. Эффект выпрямления в p—n-переходе.
2.3. Пробой p—n-перехода.
2.4. Емкость р—n-перехода.
Глава 3. Полупроводниковые приборы.
3.1. Полупроводниковые диоды.
3.2. Биполярные транзисторы.
3.3. Тиристоры.
3.4. Полевые (униполярные) транзисторы.
3.5. Излучающие полупроводниковые приборы.
3.6. Полупроводниковые приемники излучения.
3.7. Терморезисторы.
3.8. Варисторы.
Глава 4. Интегральные микросхемы.
4.1. Задачи и принципы микроэлектроники.
4.2. Полупроводниковые интегральные микросхемы (ПИМС).
4.3. Гибридные интегральные микросхемы (ГИМС).
4.4. Параметры интегральных микросхем.
Глава 5. Усилители.
5.1. Общие сведения и классификация.
5.2. Параметры и характеристики усилителей.
5.3. Режимы работы усилительных каскадов.
5.4. Усилительные каскады на биполярных транзисторах с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК).
5.5. Динамические характеристики усилительного каскада.
5.6. Усилители напряжения с резисторно-емкостной связью.
5.7. Выходные каскады усилителей (усилители мощности).
5.8. Усилители с обратной связью.
5.9. Усилители постоянного тока.
5.10. Дифференциальные усилители.
5.11. Операционные усилители.
5.12. Избирательные RC-усилители.
Глава 6. Генераторы гармонических колебаний.
6.1. Генераторы типа RC.
6.2. Генераторы LC на транзисторах.
6.3. Стабилизация частоты автогенераторов.
Глава 7. Выпрямители и стабилизаторы.
7.1. Однофазные выпрямители.
7.2. Сглаживающие фильтры.
7.3. Работа выпрямителя на сложную нагрузку.
7.4. Умножители напряжения.
7.5. Трехфазные выпрямители.
7.6. Управляемые выпрямители.
7.7. Стабилизаторы напряжения.
Глава 8. Преобразователи постоянного напряжения.
8.1. Общие сведения.
8.2. Полупроводниковые преобразователи с самовозбуждением.
8.3. Полупроводниковые преобразователи напряжения с независимым возбуждением.
8.4. Преобразователи на тиристорах (инверторы тока и напряжения).
Глава 9. Импульсная и цифровая техника.
9.1. Сигналы импульсных и цифровых устройств.
9.2. Работа транзистора в импульсном режиме.
9.3. Логические элементы и реализация логических функций.
9.4. Дифференцирующие и интегрирующие цепи.
9.5. Интеграторы и дифференциаторы на операционных усилителях.
9.6. Ограничители в микросхемах операционных усилителей.
9.7. Мультивибраторы.
9.8. Блокинг-генераторы.
9.9. Триггеры.
9.10. Счетчики.
9.11. Регистры.
9.12. Дешифраторы и шифраторы.
9.13. Распределители и коммутаторы.
9.14. Цифроаналоговые и аналого-цифровые преобразователи.
9.15. Микропроцессорные контроллеры.
Список литературы.

Купить .





Теги: учебник по физике :: физика :: Бобылев :: электроника :: полупроводник :: диод