Кремний поликристаллический полупроводниковый, монография, Червоный И.Ф., 2018

Кремний поликристаллический полупроводниковый, Монография, Червоный И.Ф., 2018.

   Монография содержит сведения о технологии поликристаллического кремния, получаемого по технологии водородного восстановления хлоридных соединений кремния. Основное внимание уделено технологии кремниевых прутков-подложек для последующего осаждения на них кремния. В монографии развит новый подход к решению научной задачи по выявлению причин и разработке способов предотвращения механического разрушения кремниевых стержней в процессе осаждения поликристаллического кремния. Выполненный в рамках теории упругости анализ напряжённого состояния кремниевого стержня показал, что сумма напряжений сжатия под действием веса наращиваемого слоя поликристаллического кремния и термоупругих напряжений, возникающих в кремниевом стержне в процессе водородного восстановления трихлорсилана, ниже предела прочности кремния, поэтому они сами по себе не приводят к разрушению стержня. Приведены практические пути усовершенствования технологии с целью повышения характеристик конечной продукции.
Монография предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, производственников - металлургов, технологов, химиков и других специалистов, деятельность которых связана с технологией высокочистого кремния, а также для аспирантов и студентов металлургических специальностей.




Технологии производства кристаллического кремния.
Начальным технологическим процессом получения кремния является переработка кремнезема (кварца - SiO2). Такой кремний называется кристаллическим кремнием (металлургическим - Metallurgical-grade silicon, или MG-Si). В 2009 году эксперты оценивали [24] мировое производство MG-Si в 1,7... 1,9 млн. т/год, а уже на 2019 год оценка производства составила 2,9 млн т. [24].

Самым распространенным минералом в земной коре является кварц, который в отдельных месторождениях образует крупное скопление кремнезема высокой степени чистоты. Природные формы кремнезема могут быть представлены породами, почти полностью сложенными кварцем, кварцитами или кварцитовидными песчаниками. Кварциты могут содержать лимонит, гематит, пирит, полевой шпат, глинистые минералы, слюду, рутил, циркон и т.д. Содержание примесных элементов в сырьевых материалах существенно влияет на качество кристаллического кремния, поэтому важное значение имеет выбор месторождений.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
ВВЕДЕНИЕ.
1. ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЧИСТОТЫ.
1.1. Современное состояние и перспективы производства поликристаллического кремния полупроводниковой чистоты в Украине и мире.
1.2. Технологии производства поликристаллического кремния для полупроводниковой промышленности.
1.2.1. Технологии производства кристаллического кремния.
1.2.2. Технология поликристаллического полупроводникового кремния.
1.3. Технология гидрохлорирования технического кремния.
1.4. Технология осаждения поликристаллического кремния методом водородного восстановления трихлорсилана.
1.5. Технологии изготовления кремниевых прутков-подложек для «Сименс»-процесса.
1.6. Влияние механических свойств кремниевых прутков-подложек на эффективность «Сименс»-технологии.
Заключение к разделу 1.
2. ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПРУТКОВ.
2.1. Установки для выращивания кремниевых прутков-подложек.
2.2. Установка для выращивания кремниевых пьедесталов.
2.3. Измерения температуры кремниевого прутка-подложки в процессе его выращивания.
2.4. Определение электрофизических параметров кремниевых прутков-подложек и пьедесталов.
2.5. Методика испытаний прочности на изгиб кремниевых прутков-подложек.
Заключение к разделу 2.
3. ВЫРАЩИВАНИЕ КРЕМНИЕВЫХ ПРУТКОВ-ПОДЛОЖЕК МЕТОДОМ ИНДУКЦИОННОЙ БЕСТИГЕЛЬНОЙ ЗОННОЙ ПЛАВКИ.
3.1. Анализ свойств и параметров кремниевых прутков-подложек, выращенных по базовой технологии.
3.2. Исследование напряженного состояния кремниевого прутка-подложки в процессе водородного восстановления трихлорсилана.
3.3. Исследование распределения температуры в прутке-подложке в зависимости от технологических параметров процесса его выращивания.
3.3.1. Исследование теплового потока в зоне расплава.
3.3.2. Влияние конструкции индуктора установки выращивания.
3.4. Термодинамический анализ условий формирования конденсированных фаз на поверхности кремниевых прутков-подложек и сопоставление их термодинамической стабильности.
3.5. Влияния конструкции плавильного индуктора на величину температурного градиента в растущих прутках.
3.6. Анализ взаимодействия газовой фазы камеры выращивания с поверхностью кремниевых прутков-подложек в ходе бестигельной зонной плавки с пьедестала.
3.7. Анализ условий проведения индукционной плавки кремния в среде аргона без ионизации газа.
Заключение к разделу 3.
4. УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА КРЕМНИЕВЫХ ПРУТКОВ-ПОДЛОЖЕК, ОБЕСПЕЧИВАЮЩЕЕ ПОВЫШЕНИЕ ВЫХОДА ГОДНОГО ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ.
4.1. Разработка высокочастотных индукторов для установок выращивания кремниевых прутков-подложек методом бестигельной зонной плавки.
4.2. Анализ режима стартового разогрева кремниевых прутков-подложек в реакторе водородного восстановления трихлорсилана.
Заключение к разделу 4.
ЛИТЕРАТУРА.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Кремний поликристаллический полупроводниковый, монография, Червоный И.Ф., 2018 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - pdf - Яндекс.Диск.




Теги: учебник по физике :: физика :: Червоный :: кремний