Приборно-технологическое проектирование полевых полупроводниковых приборов, Быстрицкий А.В., Быкадорова Г.В., Пономарев К.Г., Ткачёв А.Ю., 2017

Приборно-технологическое проектирование полевых полупроводниковых приборов, Быстрицкий А.В., Быкадорова Г.В., Пономарев К.Г., Ткачёв А.Ю., 2017.

Фрагмент из книги:
В данной работе рассматриваются основные принципы моделирования n-МОП-структур и методы получения их электрофизических параметров. Длина канала n-МОП-структур варьируется от 3 мкм до 6 мкм. Проект составлен в интерактивной графической оболочке SENTAURUS Workbench (SWB) (рис. 2.1). Проект выполняет физико-технологическое моделирование в модуле SProcess, оптимизацию расчётной сетки программными средствами модуля SNMesh, получение выходных и передаточных характеристик, крутизны, пробивного напряжения, сопротивления сток-исток в открытом состоянии в линейной области и в области насыщения, расчёт и графическое представление которых осуществляется в модулях SDevice и Inspect.




ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАБОТЫ МОП ТРАНЗИСТОРОВ.
МОП-транзисторы (металл-окисел-полупроводник) являются униполярными полупроводниковыми приборами, принцип действия которых основан на эффекте поля. т.е. изменении типа проводимости и концентрации носителей в приповерхностном слое полупроводника под действием внешнего управляющего электрического поля. МОП-транзистор состоит из подложки, двух сильнолегированных областей стока и истока с противоположным относительно подложки типом проводимости и затвора из сильнолегированного поликремния или металла, отделённого от подложки слоем тонкого - (100-500) нм подзатворного диэлектрика (рис. 1.1).

В нормальном состоянии, когда напряжение на затворе U3U = 0, сопротивление сток-исток очень велико, поскольку в структуре находятся два встречно включённых p-n-перехода. При подаче на затвор n-канального нормально закрытого МОП-транзистора положительного относительно подложки напряжения дырки из приповерхностного подзатворного слоя кремния отталкиваются вглубь подложки электрическим полем, а электроны из подложки, наоборот, притягиваются. В результате под затвором образуется обеднённая основными носителями область. По мере увеличения приложенного к затвору напряжения степень обеднения усиливается, но, в то же время, увеличивается обогащение неосновными носителями.

Оглавление.
1. Физические основы работы МОП-транзисторов.
2. Приборно-технологическое проектирование n-МОП-структур.
2.1. Проект в программе-оболочке SENTAURUS Workbench.
2.2. Технология создания n-МОП-структур.
2.3. Физико-технологическая модель n-МОП-структуры в модуле SProcess.
2.4. Оптимизация расчётной сетки в модуле SNMesh.
2.5. Расчёт основных характеристик и параметров n-МОП-структуры в модулях SDevice и Inspect.
2.5.1. Передаточная характеристика, пороговое напряжение и крутизна передаточной характеристики.
2.5.2. Семейство выходных вольт-амперных характеристик, сопротивление сток-исток в открытом состоянии в линейной области и в области насыщения.
2.5.3. Пробивное напряжение.
Библиографический список.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Приборно-технологическое проектирование полевых полупроводниковых приборов, Быстрицкий А.В., Быкадорова Г.В., Пономарев К.Г., Ткачёв А.Ю., 2017 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу


Скачать - pdf - Яндекс.Диск.




Теги: учебник по физике :: физика :: Быстрицкий :: Быкадорова :: Пономарев :: Ткачёв :: полупроводник :: транзистор