Методы литографии в наноинженерии, учебное пособие, Макарчук В.В., Родионов И.А., Цветков Ю.Б., 2011.
Методические материалы по дисциплине «Методы литографии в наноинженерии» содержат ее нормативную базу, рекомендации по организации и проведению лекций, практических занятий, семинаров, лабораторных работ и деловых игр, перечень учебных видео- и аудиоматериалов, слайдов, типовых плакатов и другие дидактические материалы, необходимые для работы профессорско-преподавательского состава по данной дисциплине. Для студентов, аспирантов и преподавателей высших технических учебных заведений по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноинженерия». Будут полезны всем, занимающимся вопросами нанотехнологий, наноинженерии, проектированием МЭМС и НЭМС, созданием электронных систем различного назначения.

Современное состояние.
Требуемые размеры элементов в резистовой маске (РМ) должны выполняться с учётом технологии последующих обработок РМ и технологической коррекции, которая учитывает уход размера в процессе переноса изображения и процессов травления и легирования через сформированную резистовую маску. В процессе травления и легирования технологическим трансформациям подвергается не только технологический слой, но и резистовая маска, что приводит к необходимости учёта трёхмерной конфигурации маски как при ее получении, так и учитывать ее стойкость к соответствующим физико-химическим факторам, действующим в процессах травления и легирования.
Содержание.
Предисловие
Список сокращений
Введение
1. Конспект лекций
2. Методические рекомендации
Заключение
Литература
Купить .
Теги: наноинженерия :: литография :: Макарчук :: Радионов :: Цветков :: 2011