Физические основы кремниевой наноэлектроники, Зебрев Г.И., 2020.
Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм. Для преподавателей и студентов, специализирующихся по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники, электронных измерительных систем. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов «Физические основы наноэлектроники», «Наноэлектронные технологии», «Физика микроэлектронных структур».

Предмет наноэлектроники.
Термины «наноэлектроника» и «наноэлектронные технологии» используется часто в двояком смысле. С одной стороны, под наноэлектроникой понимают продукт эволюционного развития микроэлектронной транзисторной (главным образом КМОП) технологии на основе кремния в сторону дальнейшей миниатюризации и увеличения степени интеграции. С другой стороны, часто под наноэлектроникой подразумеваются приборы, основанные на принципах, материалах и конфигурациях, отличных от стандартных КМОП-технологий. В данной книге будем иметь в виду главным образом первый аспект, понимая под наноэлектроникой продукт эволюционного развития микроэлектроники. Исторически термин «микроэлектроника» привязан к характерным размерам базового элемента — транзистора.
ОГЛАВЛЕНИЕ.
Предисловие.
Глава 1.Базисные физические уравнения.
Глава 2.Особенности приборов КМОП-технологии.
Глава 3.Структуры металл—окисел—полупроводник.
Глава 4.Вольт-амперные характеристики МОПТ.
Глава 5.Физические процессы в каналах МОПТ.
Глава 6.Эффекты сильных электрических полей.
Глава 7.Диффузионно-дрейфовая модель тока в МОПТ.
Глава 8.Транзисторы технологии «кремний-на-изоляторе».
Глава 9.Моделирование транзисторов КНИ-технологий.
Глава 10.Токи утечки в наноэлектронных структурах.
Глава 11.Мезоскопические эффекты в наноэлектронных структурах.
Литература.
Купить .
Теги: Зебрев :: книги по физике :: физика :: наноэлектроника