Растровая электронная микроскопия для нанотехнологий, Жу У., Уанга Ж.Л., 2013

По кнопке выше «Купить бумажную книгу» можно купить эту книгу с доставкой по всей России и похожие книги по самой лучшей цене в бумажном виде на сайтах официальных интернет магазинов Лабиринт, Озон, Буквоед, Читай-город, Литрес, My-shop, Book24, Books.ru.

По кнопке «Купить и скачать электронную книгу» можно купить эту книгу в электронном виде в официальном интернет магазине «Литрес», если она у них есть в наличии, и потом ее скачать на их сайте.

По кнопке «Найти похожие материалы на других сайтах» можно искать похожие материалы на других сайтах.

On the buttons above you can buy the book in official online stores Labirint, Ozon and others. Also you can search related and similar materials on other sites.

Ссылки на файлы заблокированы по запросу правообладателей.

Links to files are blocked at the request of copyright holders.


Растровая электронная микроскопия для нанотехнологий, Жу У., Уанга Ж.Л., 2013.

Монография посвящена рассмотрению методов растровой электронной микроскопии (РЭМ) применительно к нанотехнологиям и включает не только исследование характеристик различных наноматериалов, наноструктур и нанообъектов, но и технологию их изготовления in situ. В книге под редакцией известных ученых собраны статьи и обзоры видных специалистов в областях, относящихся к нанотехнологиям. Рассмотрены различные типы РЭМ, включая просвечивающие микроскопы с высоким разрешением, рентгеновский микроанализ, новейшие методы получения изображения посредством обратно рассеянных электронов, а также методы электронной криомикроскопии для исследования биообъектов. Использование РЭМ включает изучение наночастиц, нанопроволок, нанотрубок, трехмерных наноструктур, квантовых точек, магнитных наноматериалов, фотонных кристаллов и биологических наноструктур.

Растровая электронная микроскопия для нанотехнологий, Жу У., Уанга Ж.Л., 2013

Взаимодействие электронов с образцом.

Формирование изображения в РЭМ зависит от типа собираемых сигналов, образующихся в результате взаимодействий электронного пучка с образцом. Эти взаимодействия можно разделить на две основных категории: упругие и неупругие взаимодействия.

Упругие рассеяния происходят в результате отражения падающих электронов за счет их взаимодействия с атомными ядрами или электронами внешних оболочек, обладающими близкой по величине энергией. Этот вид взаимодействия характеризуется пренебрежимо малыми энергетическими потерями в процессе столкновения и широким интервалом углов отклонения от первоначального направления движения для рассеянных электронов. Первичные электроны, которые упруго рассеялись на угол больший, чем 90°, называются обратно рассеянными, или отраженными электронами (ОРЭ, ОЭ, или BSE— back scattered electrons) и дают полезный сигнал для получения изображения образца. Неупругое рассеяние протекает путем многократных взаимодействий первичных электронов с электронами и атомами образца и приводит к передаче энергии от первичного электронного пучка к атому образца. Величина потерь энергии зависит от того, какое возникает возбуждение электронов образца — одиночное либо коллективное, а также от энергии связи электрона с атомом образца. В результате этого возбуждение электронов образца в процессе ионизации его атомов приводит к генерации вторичных электронов (ВЭ, или SE— secondary electrons), которые обычно классифицируются как электроны с энергиями ниже 50 эВ и могут быть также использованы либо для получения изображения, либо для анализа образца. Кроме сигналов, используемых для формирования изображения, в результате соударения электронов из пучка с образцом генерируется большое количество других сигналов, в число которых входят испускание характеристического рентгеновского излучения, Оже-электронов и катодолюминесценция. Эти сигналы будут обсуждаться в последующих разделах. На рис. 1.2 показаны области, из которых детектируются различные сигналы.


Содержание.

Глава 1. Основы растровой электронной микроскопии.
Глава 2. Метод дифракции отраженных электронов (ДОЭ) и примеры исследования материалов.
Глава 3. Рентгеновский микроанализ в наноматериалах.
Глава 4. Низкокиловольтная растровая электронная микроскопия.
Глава 5. Электронно-лучевая нанолитография в растровом электронном микроскопе.
Глава 6. Просвечивающая растровая электронная микроскопия для исследования наноструктур.
Глава 7. Введение в наноманипулирование in situ для конструирования наноматериалов.
Глава 8. Применение фокусированного ионного пучка и двух-лучевых систем DualBeam для изготовления наноструктур.
Глава 9. Нанопроволоки и углеродные нанотрубки.
Глава 10. Фотонные кристаллы и устройства.
Глава 11. Наночастицы и коллоидные самосборки.
Глава 12. Наноблоки, изготовленные посредством темплатов.
Глава 13. Одномерные полупроводниковые структуры с кристаллической решеткой типа вюрцита.
Глава 14. Бионаноматериалы.
Глава 15. Низкотемпературные стадии в наноструктурных исследованиях.


Купить .

Дата публикации:






Теги: :: :: :: ::


Следующие учебники и книги:
Предыдущие статьи:


 


 

Книги, учебники, обучение по разделам




Не нашёл? Найди:





2024-12-22 09:03:37