Основы полупроводниковой электроники, Игумнов Д.В., Костюнина Г.П., 2011

По кнопкам "Купить бумажную книгу" или "Купить электронную книгу" можно купить в официальных магазинах эту книгу, если она имеется в продаже, или похожую книгу. Результаты поиска формируются при помощи поисковых систем Яндекс и Google на основании названия и авторов книги.

Наш сайт не занимается продажей книг, этим занимаются вышеуказанные магазины. Мы лишь даем пользователям возможность найти эту или похожие книги в этих магазинах.

Список книг, которые предлагают магазины, можно увидеть перейдя на одну из страниц покупки, для этого надо нажать на одну из этих кнопок.

Основы полупроводниковой электроники, Игумнов Д.В., Костюнина Г.П., 2011.
   
  В книге изложены основы построения современных полупроводниковых аналоговых и цифровых устройств. Приведены сведения о физических явлениях в полупроводниковых элементах, рассмотрены различные диоды, биполярные и полевые транзисторы. Описаны особенности интегральных схем. Основное внимание уделяется рассмотрению разнообразных транзисторных и интегральных устройств непрерывного и импульсного действия. В настоящем издании (первое издание вышло в свет в 1995 г.) приведена информация об одноэлектронных транзисторах, дополнен раздел «Постоянные запоминающие устройства» и добавлен раздел «Микропроцессоры».
Для студентов вузов, будет полезна специалистам смежных с электроникой областей, которые занимаются вопросами, требующими от них дополнительных знаний по электронике.

Основы полупроводниковой электроники, Игумнов Д.В., Костюнина Г.П., 2011


Диоды ВЧ и СВЧ.
Для того чтобы полупроводниковые диоды могли работать в области высоких (ВЧ) и сверхвысоких (СВЧ) частот, необходимо обеспечить в них минимальные реактивности, что достигается благодаря специально принятым конструктивно-технологическим мерам.

Одна из основных причин инерционности полупроводниковых диодов представляется диффузионной емкостью. При протекании через диод прямого тока в базе создается избыточная концентрация неосновных носителей заряда. Избыточная концентрация может во много раз превышать равновесную концентрацию неосновных носителей в базе. При уменьшении прямого тока неравновесный заряд не может мгновенно уменьшиться и сохраняется в базе в течение определенного времени, сравнимого с временем жизни неосновных носителей заряда. В случае, когда ширина базы в несколько раз превышает диффузионную длину неосновных носителей, для определения диффузионной емкости может быть использована формула (1.14).



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Основы полупроводниковой электроники, Игумнов Д.В., Костюнина Г.П., 2011 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать файл № 1 - pdf
Скачать файл № 2 - djvu
Ниже можно купить эту книгу, если она есть в продаже, и похожие книги по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить книги



Скачать - djvu - Яндекс.Диск.

Скачать - pdf - Яндекс.Диск.
Дата публикации:





Теги: :: :: :: ::


Следующие учебники и книги:
Предыдущие статьи:


 


 

Книги, учебники, обучение по разделам




Не нашёл? Найди:





2025-04-27 05:13:32