Применение интегральных микросхем памяти, Справочник, Дерюгин А.А., Цыркин В.В., Красовский В.Е., 1994

Применение интегральных микросхем памяти, Справочник, Дерюгин А.А., Цыркин В.В., Красовский В.Е., 1994.
     
   Рассматриваются два типа интегральных запоминающих устройств (ЗУ): ЗУ на больших интегральных микросхемах (БИС) и ЗУ на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Приводятся классификация, параметры и принципы построения БИС ЗУ. Описываются особенности организации систем памяти на БИС и вопросы конструирования различных типов ЗУ. Рассматриваются также физика работы, основные параметры, типы микросхем, организация памяти на ЦМД. Даются рекомендации по построению практических схем ЗУ, приводятся примеры их расчета и использования в различных устройствах.
Для инженерно-технических работников, занятых разработкой и эксплуатацией устройств цифровой вычислительной техники и автоматики.




Элементы памяти ОЗУ статического типа.
Как указывалось ранее, ЭП статического типа строятся как на МДП-транзисторах, так и на биполярных транзисторах. При построении ЭП на МДП-транзисторах достигается большая информационная емкость БИС ОЗУ из-за относительной простоты и малых размеров МДП-транзисторов по сравнению с биполярными.

Элемент памяти на nМДП-транзистор ах (рис. 1.6, а) БИС ОЗУ типа К132РУ4 представляет собой шеститранзисторную схему. Ключевые транзисторы VT3 и VT5 с активными нагрузками в виде транзисторов VT2 и VT4 образуют триггер. Транзисторы VT1 и VT6 являются двунаправленными ключами ввода-вывода данных. В режиме хранения VT1 и VT6 закрыты, в режиме записи и считывания — открыты сигналом на адресной (словарной) шине WL. Перед считыванием на разрядные шины BL0 и BL1 подается напряжение источника питания. В режиме считывания начинается разряд паразитной емкости той разрядной шины, которая связана с открытым транзистором (VT3 или VT5), при этом на BL0 и BL1 устанавливается разность потенциалов, достаточная для срабатывания усилителя считывания. В режиме записи на BL0 и BLI устанавливаются разные уровни напряжения в соответствии с записываемым кодом.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Предисловие.
Введение.
Глава 1. Полупроводниковые БИС запоминающих устройств.
1.1. Классификация полупроводниковых БИС ЗУ
1.2. Структурные схемы БИС ОЗУ статического типа.
1.3. Элементы памяти ОЗУ статического типа.
1.4. Особенности входных и выходных каскадов БИС ОЗУ.
1.5. Элемент памяти и БИС ОЗУ динамического типа.
1.6. Элементы памяти и БИС ПЗУ.
1.7. Элементы памяти энергонезависимых ОЗУ.
1.8. Электрические параметры БИС ЗУ.
1.8.1. Общие положения.
1.8.2. Система статических параметров БИС ЗУ.
1.8.3. Система динамических параметров БИС ЗУ.
1.9. Конструктивное выполнение БИС ЗУ.
Глава 2. Структура и организация систем памяти на БИС ЗУ.
2.1. Основы организации систем памяти на БИС ЗУ.
2.2. Взаимодействие процессора с памятью.
2.3. Работа иерархической памяти в многопроцессорных системах.
2.4. Некоторые результаты моделирования иерархической структуры оперативной памяти.
2.5. Специализированные БИС ЗУ для современных ЭВМ.
Глава 3. Конструирование запоминающих устройств на БИС.
3.1. Конструирование узлов запоминающих устройств на БИС.
3.1.1. Проектирование конструкции ТЭЗ.
3.1.2. Проектирование конструкции блока и стойки ЗУ.
3.2. Помехоустойчивость ЗУ на БИС ЗУ.
3.2.1. Помехи в линиях связи и цепях управления.
3.2.2. Помехи в шинах питания и общей шине
3.2.3. Помехи в ЗУ из-за внешних воздействий и переключения напряжения питания.
3.3. Обеспечение температурных режимов блоков ЗУ.
Глава 4. Регистровые запоминающие устройства.
4.1. Общие сведения.
4.2. Адресные РЗУ с произвольным доступом.
4.3. Безадресные РЗУ.
Глава 5. Проектирование оперативных запоминающих устройств.
5.1. Общие сведения.
5.2. Постановка задачи проектирования модуля ОЗУ.
5.3. Методика расчета модуля ОЗУ.
5.4. Примеры построения модулей статических ОЗУ.
5.4.1. Модуль ОЗУ информационной емкостью 2 Мбита на nМДП БИС.
5.4.2. Модуль ОЗУ информационной емкостью 256 Кбайт на КМДП БИС.
5.5. Энергонезависимые модули статических ОЗУ
5.6. Динамические ОЗУ.
5.7. Особенности проектирования динамических ОЗУ.
5.8. Пример построения модуля динамического ОЗУ.
Глава 6. Постоянные запоминающие устройства.
6.1. Общие сведения.
6.2. Масочные и программируемые ПЗУ.
6.2.1. Масочные ПЗУ.
6.2.2. Программируемые ПЗУ.
6.2.3. Программирование микросхем КМ1623РТ1.
6.3. Примеры построения модулей ППЗУ.
6.3.1. Модуль ППЗУ информационной емкостью 128 Кбайт.
6.3.2. Модуль ППЗУ информационной емкостью 256 Кбайт с применением импульсного питания для БИС ППЗУ.
6.4. Репрограммируемые ПЗУ.
6.4.1. РПЗУ, стираемые ультрафиолетовым облучением.
6.4.2. РПЗУ с электрической записью и стиранием информации.
6.5. Примеры построения модулей РПЗУ.
6.5.1. Модуль РПЗУ информационной емкостью 128 Кбайт на БИС РПЗУ с УФ-стиранием.
6.5.2. Модуль РПЗУ информационной емкостью 64 Кбайта на БИС с электрической записью и электрическим стиранием информации.
6.6. Применение ПЗУ.
6.6.1. Применение ПЗУ в качестве преобразователей кода.
6.6.2. Выполнение арифметических операций с помощью ПЗУ.
6.6.3. Применение ПЗУ в генераторах символов.
6.6.4. Применение ПЗУ в микропрограммных устройствах управления.
6.7. Программируемые логические матрицы.
6.7.1. Основные применения ПЛМ.
6.7.2. Применение ПЛМ в устройствах управления.
6.7.3. Применение программируемых матриц логики.
Глава 7. Ассоциативные запоминающие устройства.
7.1. Структура и общие принципы работы АЗУ.
7.2. Элементы и узлы БИС АЗУ.
7.3. Особенности применения БИС АЗУ.
Глава 8. Надежность полупроводниковых запоминающих устройств.
8.1. Общие сведения.
8.2. Надежность БИС ЗУ.
8.3. Виды и причины отказов элементов полупроводниковых ЗУ.
8.4. Отказы модулей и блоков ЗУ.
8.5. Методы обеспечения надежности ЗУ на этапах изготовления и эксплуатации.
8.6. Методы обеспечения отказоустойчивости полупроводниковых ЗУ.
8.7. Расчет надежности полупроводниковых ЗУ
8.8. Методика расчета показателей надежности ЗУ с корректирующими кодами.
Глава 9. Микросхемы на цилиндрических магнитных доменах.
9.1. Физические свойства ЦМД.
9.2. Запись, стирание и считывание информации в ЦМД-микросхемах.
9.3. Информационные структуры ЦМД-микросхем
9.4. Конструкция и параметры ЦМД-микросхем
Глава 10. Аппаратные средства ЗУ на цилиндрических магнитных доменах.
10.1. ЦМД-накопители.
10.2. Контроллеры ЦМД ЗУ.
10.3. Источники питания. Аварийные режимы работы ЦМД ЗУ.
10.4. ЦМД ЗУ с аккумуляторными источниками питания.
Глава 11. Алгоритмическое обеспечение и программные средства ЗУ на цилиндрических магнитных доменах.
11.1. Анализ способов размещения информации в ЦМД-накопителях.
11.2. Оптимизация функции отображения адресных пространств в ЦМД-эмуляторах.
11.3. Отображение адресных пространств в ЦМД-накопителях с попарным считыванием сцепленных страниц.
11.4. Методы адресации в ЦМД ЗУ.
11.5. Оценка быстродействия ЦМД ЗУ.
Глава 12. Тестирование микросхем на цилиндрических магнитных доменах и модулей ЦМД-накопителя.
12.1. Причины и характеристики отказов ЦМД-микросхем.
12.2. Аппаратура и методы контроля ЦМД-микросхем. Автоматизированные системы контроля ЦМД-микросхем.
12.3. Аппаратные и программные средства для настройки и тестирования модулей ЦМД-накопителя.
Глава 13. Направления развития ЦМД-микросхем.
13.1. Увеличение плотности записи в ионно-имплантированных структурах.
13.2. Повышение быстродействия ЦМД-микросхем за счет применения токового управления.
13.3. Микросхемы на вертикальных блоховских линиях со сверхвысокой информационной плотностью.
Список литературы.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Применение интегральных микросхем памяти, Справочник, Дерюгин А.А., Цыркин В.В., Красовский В.Е., 1994 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу, если она есть в продаже, и похожие книги по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить книги


Скачать - pdf - Яндекс.Диск.




Теги: справочник по электронике :: электроника :: электротехника :: Дерюгин :: Цыркин :: Красовский :: микросхема