Сверхширокополосные аттенюаторы высокого уровня мощности, Монография, Рубанович М.Г., Хрусталев В.А., Разинкин В.П., 2015

Подробнее о кнопках "Купить"

По кнопкам "Купить бумажную книгу" или "Купить электронную книгу" можно купить в официальных магазинах эту книгу, если она имеется в продаже, или похожую книгу. Результаты поиска формируются при помощи поисковых систем Яндекс и Google на основании названия и авторов книги.

Наш сайт не занимается продажей книг, этим занимаются вышеуказанные магазины. Мы лишь даем пользователям возможность найти эту или похожие книги в этих магазинах.

Список книг, которые предлагают магазины, можно увидеть перейдя на одну из страниц покупки, для этого надо нажать на одну из этих кнопок.

Сверхширокополосные аттенюаторы высокого уровня мощности, Монография, Рубанович М.Г., Хрусталев В.А., Разинкин В.П., 2015.
    
   Рассмотрены вопросы построения согласованных аттенюаторов и оконечных нагрузок, выполненных на основе планарных пленочных резисторов. Аттенюаторы предназначены для работы в полосе частот от 0...5 ГГц при уровнях входной мощности от нескольких сотен ватт до единиц киловатт. На основе декомпозиционного подхода и электромагнитного описания представлены новые и усовершенствованные методы расчета и математические модели элементной базы аттенюаторов, распределенных пленочных резисторов, методы синтеза трансформирующих и согласующих звеньев с диссипативными потерями.
Адресована широкому кругу специалистов в области микроволновых широкополосных устройств телекоммуникационных систем, цифрового телевидения и радиовещания, а также студентам, магистрантам и аспирантам, обучающимся по направлениям «Радиотехника» и «Инфокоммуникационные технологии и системы связи».

Сверхширокополосные аттенюаторы высокого уровня мощности, Монография, Рубанович М.Г., Хрусталев В.А., Разинкин В.П., 2015


Линия передачи с диссипативными потерями.
Неотъемлемой частью любого радиотехнического устройства или интегральной микросхемы являются резисторы, составляющие около 80 % общего числа элементов интегральной микросхемы. Резистивные элементы широко используются в пленочных микросхемах усилителей, делителей, детекторов, фазовращателей, сумматоров, делителей мощности и т. д. В зависимости от вида схемы и назначения резисторы имеют различный диапазон сопротивлений.

Основным элементом СВЧ-резистора является отрезок однородной или неоднородной полосковой линии передачи с распределенными параметрами. Анализ распространения и поглощения электромагнитных волн в таких линиях может быть выполнен точными методами [8], которые ввиду сложности вычислений редко используются. Поэтому широкое применение находят методы анализа и синтеза, основанные на использовании одномерной модели линии передачи [1]. Приближенно процессы распространения электромагнитных волн в линиях с потерями описываются телеграфными уравнениями:

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Предисловие.
Основные сокращения и обозначения.
Глава 1. ПРИНЦИПЫ ПОСТРОЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ СВЧ-АТТЕНЮАТОРОВ ВЫСОКОГО УРОВНЯ МОЩНОСТИ.
1.1. Линия передачи с диссипативными потерями.
1.2. Оконечные нагрузки.
1.3. Фиксированные аттенюаторы.
1.4. Предельно достижимая полоса частот мощных пленочных аттенюаторов и нагрузок.
1.5. Тепловые аспекты при расчете СВЧ-аттенюаторов и СВЧ-нагрузок.
Выводы.
Глава 2. ДЕКОМПОЗИЦИОННЫЙ МЕТОД МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПРОЦЕССОВ В ПЛАНАРНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРАХ.
2.1. Математическая модель электромагнитных процессов в планарных пленочных резисторах.
2.2. Эквивалентная схема планарного пленочного резистора.
2.3. Дискретизация на основе метода токовых полос.
Выводы.
Глава 3. ИНДУКТИВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПЛАНАРНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ.
3.1. Расчет индуктивных параметров эквивалентной схемы пленочного резистора и на их основе расчет интегральной индуктивности пленочного резистора и приведенных индуктивностей отдельных блоков.
3.2. Декомпозиционный подход для определения индуктивности пленочных резисторов методом среднегеометрических расстояний.
3.3. Представление интегральной индуктивности пленочного резистора через декомпозиционные параметры.
3.4. Интегральное соотношение для собственной индуктивности резистивной пленки.
3.5. Систематизация методов расчета индуктивности микрополосковых линий.
3.6. Экспериментальное измерение и расчет по аналитическим методам индуктивности отрезков МПЛ.
3.7. Метод построения дифференциальной модели для экспериментальных значений индуктивности.
3.8. Оценка отклонений регрессионных и расчетных значений индуктивности МПЛ от сглаженных экспериментальных данных.
3.9. Калмановская фильтрация для оценки погрешности методов расчета индуктивности отрезков МПЛ.
3.10. Оценка невязки экспериментальных данных и аналитических расчетов интегральной индуктивности микрополосковой линии.
Выводы.
Глава 4. ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЕМКОСТИ В ПОПЕРЕЧНОМ СЕЧЕНИИ МИКРОПОЛОСКОВОЙ ЛИНИИ.
4.1. Постановка задачи нахождения парциального распределения емкости в МПЛ.
4.2. Нахождение парциального распределения емкости в МПЛ методом конформного преобразования.
4.3. Численное моделирование в поперечном сечении МПЛ методом конечных элементов.
4.4. Математическая модель для поперечного сечения МПЛ в конформно отображенной области.
4.5. Результаты численного моделирования для МПЛ.
4.6. Приближенный расчет распределения емкости в поперечном сечении МПЛ.
4.7. Сравнение результатов расчета методом конформного отображения и методом конечных элементов.
4.8. Сравнение точности значений емкости, полученных методом конечных элементов и по предложенной методике.
4.9. Емкость плоского конденсатора прямоугольного сечения.
Выводы.
Глава 5. ПЛЕНОЧНЫЕ АТТЕНЮАТОРЫ И НАГРУЗКИ, ВЫПОЛНЕННЫЕ НА ОСНОВЕ ТРАНСФОРМИРУЮЩИХ И СОГЛАСУЮЩИХ ЦЕПЕЙ.
5.1. Анализ проблемы и постановка задачи.
5.2. Итерационный метод синтеза трансформирующих цепей с диссипативными потерями.
5.3. Сходимость итерационного метода синтеза согласующей цепи с диссипативными потерями.
5.4. Синтез симметричных фильтров с диссипативными потерями.
Выводы.
Глава 6. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫХ РЕЖИМОВ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ.
6.1. Введение в задачу моделирования тепловых процессов.
6.2. Моделирование теплового поля элементарного декомпозиционного блока резистивной пленки.
6.3. Моделирование теплового поля пленочного резистора на основе метода декомпозиции.
6.4. Кусочно-линейная аппроксимация температурного поля на поверхности пленки.
6.5. Экспериментальное исследование тепловых режимов аттенюатора в тонкопленочном исполнении.
Выводы.
Глава 7. РАЗРАБОТКА И РЕАЛИЗАЦИЯ МОЩНЫХ СВЧ-УСТРОЙСТВ И АТТЕНЮАТОРОВ НА ПЛАНАРНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРАХ.
7.1. Многоэлементная пленочная СВЧ-нагрузка.
7.2. Способы построения мощных аттенюаторов.
7.3. Электромагнитное моделирование пленочного резистора.
7.4. Метрологические аттенюаторы для телевизионной передающей аппаратуры.
7.5. Универсальный широкополосный модульный аттенюатор большой мощности для работы с радиопередающей аппаратурой.
7.6. Широкополосные пленочные СВЧ-аттенюаторы высокого уровня мощности нового поколения.
7.7. Широкополосная амплитудно-частотная коррекция.
7.8. Двухканальный синфазный сумматор-делитель мощности с компенсацией паразитных параметров балластного резистора.
7.9. Многоканальные синфазные сумматоры-делители мощности Уилкинсона с корректирующим шлейфом.
7.10. Согласованный полосно-пропускающий СВЧ-фильтр.
7.11. Датчик превышения длительности радиоимпульса.
Выводы.
Заключение.
Библиографический список.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Сверхширокополосные аттенюаторы высокого уровня мощности, Монография, Рубанович М.Г., Хрусталев В.А., Разинкин В.П., 2015 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу, если она есть в продаже, и похожие книги по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить книги



Скачать - pdf - Яндекс.Диск.
Дата публикации:





Теги: :: :: :: :: :: ::


 


 

Книги, учебники, обучение по разделам




Не нашёл? Найди:





2025-05-16 12:10:36